Cree l Wolfspeed、高度なXバンドレーダーデバイスのリリースによって 高性能RFパワーソリューションを実現

4種類の新しいGaN on SiC MMICデバイスの登場により、RFシステムのサイズ、重量、パワーの向上が可能に

米ノースカロライナ州ダーハム - Media OutReach - 2021年4月13日 - シリコンカーバイド（SiC）テクノロジーのグローバルリーダーであるCree l Wolfspeedは、4種類の新しいマルチステージGaN（窒化ガリウム）on SiCモノリシックマイクロ波集積回路（MMIC）デバイスを発表し、海洋、気象監視、および新興の無人航空システムレーダーなど、多様なパルス配列および連続波Xバンド位相配列アプリケーション向けのRFソリューションを拡充します。Wolfspeed® GaN on SiCテクノロジーを利用するこれらの新規デバイスは、小型の業界標準パッケージで高電力付加効率（PAE）を提供します。これにより、より小型の少消費電力システムで最大のパフォーマンスを実現できるようになります。

Cree l Wolfspeedの工場、航空宇宙および防衛担当シニアディレクターであるジム・ミリガン（Jim Milligan）は次のように述べています。「Cree l Wolfspeedの新しいXバンド製品は、アクティブ位相配列レーダーのようなアプリケーションで求められる、厳しいフォームファクタの高効率発信ソリューションを必要とするシステムを設計する今日のエンジニアに多様なオプションを提供します。Wolfspeed® GaN on SiCソリューションを利用することで、小型、軽量、高出力（SWaP）に関連する重要RFシステム要件を満たしながら、新たなレベルのパフォーマンスを実現できます。」

広範なXバンドポートフォリオは、複数ステージのゲインに対応するソリューションを提供し、送信チェーンに必要なデバイス数を削減できます。用意されたさまざまな出力レベルがシステムパフォーマンスを最適化し、システムアーキテクチャを最適化するために複数のプラットフォームで提供されます。製品の詳細とパフォーマンスデータについては、表1を参照してください。

新しいアンプは、拡大を続ける防衛アプリケーション向けソリューションのポートフォリオに加えられます。これらの機能は、航空宇宙および防衛市場を支えるCree l Wolfspeedの長年にわたるGaN on SiCの専門知識を示すと同時に、多様なRFアプリケーション向けの業界をリードする革新的GaNソリューションの開発に対するCree/Wolfspeedのコミットメントを示しています。

表1

Cree l Wolfspeedと製品の詳細については、www.wolfspeed.com/xbandをご覧ください。